ICP（Inductively Coupled Plasma，电感耦合等离子体）

  • 射频功率通过反应室外的电感线圈以磁场耦合方式馈入，感应出环形电场维持放电
  • 等离子体密度高（典型 10^11~10^12 cm^-3），工作气压较低
  • 通常采用双射频电源：源功率（Source RF）控制等离子体密度，偏压功率（Bias RF）控制衬底离子轰击能量，二者解耦
  • 多用于导体刻蚀（硅、金属、多晶硅），如华创等 ICP 刻蚀机

CCP（Capacitively Coupled Plasma，电容耦合等离子体）

  • 射频功率加在两个平行板电极上，以电场电容耦合方式维持放电
  • 等离子体密度相对较低，但鞘层压降大、离子轰击能量高
  • 结构简单，成本低；双频 CCP 也可部分实现密度与能量的独立调节
  • 多用于介质刻蚀（氧化硅、氮化硅），对物理轰击要求高的工艺

一句话记忆

  • ICP：高密度、低能量、密度/能量独立可调 → 导体刻蚀
  • CCP：较低密度、高轰击能量 → 介质刻蚀